Le linn an phróisis fáis criostail, fanann na leictreoidí graifít i dtimpeallacht fholús argón ag teochtaí ó 1420 go 1650 céim Celsius. Tá gal uisce iarmharach, substaintí so-ghalaithe orgánacha, agus rian neamhíonachtaí bórón agus fosfair fós i bpiocháin inmheánacha na ngnáthghraifít. Scaoileann na substaintí seo gáis go leanúnach, rud a thruaillíonn an leá sileacain agus a fhágann go n-imíonn friotachas na sliseog sileacain, go n-ardóidh dlús díláithrithe na criostail, agus go laghdóidh táirgeacht na gcadhnraí/sliseanna go suntasach. Déantar réamhchóireáil 1600 céim ar fhadtéarma ar an bhfolús-dhíghású ar an táirge seo, rud a bhainfidh na comhpháirteanna so-ghalaithe saor in aisce go hiomlán. Tá an ráta iomlán astaithe gáis chomh híseal leis an ord 10⁻¹⁰ Pa・m³/s. Tá an cion eisíontais bórón agus fosfair Níos lú ná nó cothrom le 0.01 ppm. Tá sé oiriúnach do línte táirgeachta criostail aonchriostail fótavoltach 12-orlach sileacain aonchriostail 8-orlach, sileacain scagtha crios leathsheoltóra 8-orlach, agus foshraith chomhdhúile sileacain. Is croí-inchaite é don réimse teirmeach i ndéantúsaíocht ábhair fhótavoltach agus leathsheoltóra sileacain.
CZ Fótavoltach ag Tarraingt Sileacain Monocrystalline le haghaidh Táirgeadh Aifreann (Arna Cheannach go príomha ag Monarchan Fótavoltach Thar Lear)
Oiriúnach le haghaidh foirnéisí aoncriostalach tarraingthe mórmhéid 6–12 orlach, le timthriall criostalaithe fada amháin suas le 120–180 uair. Coinníonn na leictreoidí giniúint teasa cobhsaí ar fud an phróisis, gan aon scaoileadh gáis tobann a chuireann isteach ar chomhiompar an leá sileacain. Glactar leis an bpróiseas pasivation séalaithe poll micrea, áit a bhfuil na pores bídeacha ar an dromchla graifíte séalaithe le ciseal carbóin aonfhoirmeach agus dlúth, rud a choscann creimeadh gaile sileacain faoin atmaisféar argóin. Níl aon phúdrú nó doirteadh cáithníní carbóin ag an dromchla leictreoid, ag seachaint eisíontais charbóin iomarcacha san ábhar sileacain.
Déantar an t-ábhar eisíontas bóróin agus fosfair a rialú go docht, rud a chuireann deireadh leis an imeacht ó raon friotaíochta na sliseog sileacain de chineál N-cineál / P-chineál. Déantar aimplitiúid luaineachta shaolré iompróra mionlaigh an chriostail aonair in aghaidh an bhaisc a rialú laistigh de ±3μs, i gcomparáid le gnáth-leictreoidí graifíte, méadaíonn an táirgeacht criostail aonair 12%–18%. Tá earráid aonfhoirmeachta an fhriotaíochta leictreoid Níos lú ná nó cothrom le 0.3μΩ・m, déantar difríocht teocht an réimse teirmeach taobh istigh den fhoirnéis a chobhsú ag ±4 céim, ag cinntiú go bhfuil an cion den alt trastomhas leanúnach den slat sileacain níos mó ná nó cothrom le 92%, ag laghdú go mór caillteanas amhábhar.
Feidhmchlár ardleibhéil crios leathsheoltóra FZ ag leá-sliseanna sileacain íonachta-
Le haghaidh coinníollacha fáis 8-orlach agus crios níos lú leá sileacain ard-sileacain íonachta (9N - 11N ultra-sileacain ardíonachta), comhlíonann an táirge seo caighdeán graifíte glan leathsheoltóra SEMI F63. Tá an próiseas iomlán saor ó ghreamaithe orgánacha agus neamhíonachtaí so-ghalaithe ina bhfuil sulfair. Tá cion iomlán na n-eisíontas trasdula miotail Fe/Ni/C níos lú ná nó cothrom le 0.2 ppm. Is féidir leis an tréith íseal sceite an chéim fholús a choinneáil sa chobhsaí foirnéise ag 10⁻⁷ Pa nó os a chionn, agus tá an méid scaoilte so-ghalaithe níos ísle ná méid táirgí caighdeánacha tionscail 90%. Seachnaíonn sé go hiomlán lochtanna cosúil le sceitheadh sliseanna agus voltas miondealú neamhleor de bharr neamhíonachtaí rian.
Is féidir é a shaincheapadh le struchtúr leictreoid fhuaraithe le huisce. Le linn fás criostail, laghdaítear teocht an chomhlachta leictreoid faoi 300 céim, rud a shochtadh tuilleadh teocht ard sceite agus oiriúnú do tháirgeadh leá chrios leanúnach ardmhinicíochta. Is féidir leictreoid aonair a úsáid go cobhsaí le haghaidh níos mó ná 600 foirnéis, ag freastal ar éileamh táirgeachta leanúnach monarchana leathsheoltóra.
Trealamh Fáis Criostail Foshraith Carbide SiC Charbónú (Réimse éiritheach an Tríú -Leathsheoltóra Giniúna)
Tá teocht fáis SiC chomh hard le 2100–2400 céim . Ag teochtaí arda den sórt sin, tá seans maith go scaoileann gnáth-graifít CO agus gáis hidreacarbóin, rud a d'fhéadfadh damáiste a dhéanamh do shláine laitíse SiC. Déantar dé-phróiseáil ar an táirge seo 2700 céim ultra-graifítiú ardteochta agus díghású i bhfolús. Tá méid iomlán na substaintí gásacha a scaoiltear ag teochtaí arda thar a bheith íseal. Tá an cumas aige freisin seasamh in aghaidh creimeadh gaile carbóin ultra-teocht ard, tá comhéifeacht leathnaithe teirmeach an-íseal aige, agus ní léiríonn sé scoilteadh ná dífhoirmiúchán le linn timthriallta teasa agus fuaraithe timthriallach 2400 céim.
Is féidir na leictreoidí a mheaitseáil le méideanna neamhchaighdeánacha foirnéisí fáis criostail PVT SiC ingearach agus tacú le naisc shéalaithe snáithithe deighilte. Tá na luaineachtaí friotaíochta teagmhála ag na pointí nasctha thar a bheith beag, níl aon phointí sceite róthéamh áitiúla ann, agus is féidir foshraitheanna cobhsaí íseal-dlúis SiC a tháirgeadh.
Teicneolaíocht phróiseála eisiach difreáilte (go hiomlán difriúil ó ghnáth-leictreoidí graifíte bhfolús)
1. Roghnú amhábhar: Roghnaigh bánna graifíte iseatrópacha ultra-fíneáil-grained (D50=5μm), le hábhar so-ghalaithe bunaidh Níos lú ná nó cothrom le 0.03%, ag laghdú an bonn sceite ón bhfoinse;
2. Degassing bhfolús il-: insliú folúis 1600 céim atmaisféar támh ar feadh 72 uair an chloig, ciseal le ciseal a bhaint gal uisce, hidreacarbóin in aisce, agus neamhíonachtaí intuaslagtha i pores;
3. Séalaithe pasivation pore micrea: íseal-teocht ceimiceach gaile sil-leagan de shraith tanaí charbóin chun micrea-phiocháin dromchla a líonadh, ag blocáil bealaí scaoilte na so-ghalaithe inmheánacha ar an taobh amuigh;
4. Strus -próiseáil bheacht saor in aisce: Gearradh sreinge mall + casadh scáthán CNC, gan scoilteanna a phróiseáil, gan porosity dromchla, deireadh a chur le bealaí sceite nua tar éis próiseála;
5. Tástáil neamh-millteach: Críochnaíonn gach leictreoid braite héiliam ar an ráta gáis sceite, iniúchadh iomlán ar eisíontais ICP-MS, agus braite aonfhoirmeachta an ráta friotaíochta, in éineacht le tuarascáil iniúchta leibhéal leathsheoltóra le haghaidh onnmhairiú.
Feidhmíocht sceite íseal leathsheoltóra-grád ultra-
Tá an ráta sceite iomlán ag an gcoinníoll fáis criostail 1600 céim níos lú ná 8 × 10⁻¹⁰ Pa·m³ / s, tá scaoileadh comhpháirteanna so-ghalaithe hidreacarbóin níos lú ná 0.01 ppm, atá 95% níos ísle ná sin na leictreoidí graifíte traidisiúnta i bhfolús, agus cuireann sé deireadh le truailliú gáis leá sileacain go hiomlán.
Rialú thar a bheith dian ar neamhíonachtaí bóróin agus fosfar (croí-fhadhb criostail aonair)
Bórón Níos lú ná nó cothrom le 0.01 ppm, Fosfar Níos lú ná nó cothrom le 0.01 ppm, gan cur isteach dópála, feabhsaítear aonfhoirmeacht friotachas wafer sileacain 40%, atá oiriúnach do tháirgeadh sioncrónach de chineál N/P sileacain criostail aonair.
exhalation íseal gan struchtúr truaillithe carbóin
Micrea-séalaithe pore agus cóireáil pasivation, laghdaítear an porosity go dtí faoi bhun 0.12%, le linn an phróisis fáis criostail, níl aon shedding púdar graifít ann, tá an t-incrimint neamhíonachtaí carbóin sa leá sileacain níos lú ná 0.02 ppm, a chomhlíonann na caighdeáin ard-íonachta sileacain le haghaidh fótavoltach / leathsheoltóra.
Réimse teasa seoltach cobhsaí fadtéarmach
Is é friotachas teocht an tseomra ná 4.5–5.2 μΩ·m, tá earráid aonfhoirmeach an fhriotachta leictreoid ar fad Níos lú ná nó cothrom le 0.3 μΩ·m, oibriú leanúnach ag 1650 céim ar feadh 180 uair an chloig gan sreabhadh friotaíochta, tá difríocht teocht an réimse teasa Níos lú ná nó cothrom le ± 4 céim .
Cén Fáth Roghnaigh Linn?
Líne táirgeachta speisialaithe le haghaidh sileacain mhonacriostalach, le próiseas díghásaithe spriocdhírithe
2. Córas cuimsitheach rialaithe eisíontais tríthoiseach de ghrád leathsheoltóra
3. Cumas saincheaptha aon-stad chun oiriúnú do na foirnéisí criostail singil príomhshrutha ar fud an domhain
4. Feabhas a chur ar olltáirgeadh le tacaíocht theicniúil tacaíochta
5. Seachadadh onnmhairithe cobhsaí agus cáilíochtaí onnmhairithe iomlána. Bíonn táirgí criostail singil fótavoltach caighdeánach i stoc againn i gcónaí, agus is féidir earraí saincheaptha a sheachadadh laistigh de 7-12 lá.
Tábla Paraiméadar Teicniúil Táirge
| Níl. | Mír Cigireachta | Silicon Crystal Íseal leictreoid graifít outgassing caighdeánach | Modh Braite Tástála |
|---|---|---|---|
| 1 | Grád Amhábhar | Graifít Leathsheoltóra Iseastatach 3D mhín (D50=5μm) | Anailíseoir Léasair Méid na gCáithníní |
| 2 | Ábhar Carbóin Seasta | Níos mó ná nó cothrom le 99.9998 % | Anailíseoir Carbóin Dócháin Ardteochta |
| 3 | Ábhar Fuinseoige Iomlán | Níos lú ná nó cothrom le 2 ppm | ICP{0}MS Brath Iomlán Eiliminte |
| 4 | Ábhar Neamhíonachta Bórón | Níos lú ná nó cothrom le 0.01 ppm | Mais-Speictriméadracht Plasma Cúpláilte go hIonduchtach |
| 5 | Ábhar Eisíontas Fosfar | Níos lú ná nó cothrom le 0.01 ppm | ICP{0}}MS Ultra-Tástáil Eilimintí rian |
| 6 | Eisíontas Miotail Idirthréimhse Iomlán (Fe, Ni, Cu, Cr) | Níos lú ná nó cothrom le 0.2 ppm | Scanadh Ilghnéitheach ICP-MS |
| 7 | Ráta Amach Iomlán (1600 céim , Folús) | ＜8 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/s | Tástálaí Outgassing Fholúis Sceite Héiliam |
| 8 | Scaoileadh Hidreacarbóin So-ghalaithe | ＜0.01 ppm | Tástáil MS GC um Asú Teirmeach |
| 9 | Friotaíocht Teochta Seomra | 4.5 – 5.2 μΩ·m | Méadar Frithsheasmhachta Tóraithe ceithre phointe |
| 10 | Diall Aonfhoirmeachta Friotaíocht | Níos lú ná nó cothrom le 0.3 μΩ·m | Scanadh Frithsheasmhachta il-pointe{-beachtais |
| 11 | Dlús Bulc | 1.88 - 1.91 g / cm³ | Tástáil Dlúis Archimedes |
| 12 | Porosity Inmheánach | ＜0.12 % | Porosimetry Cur isteach Mearcair |
| 13 | Comhéifeacht an Leathnaithe Teirmeach (25–1600 céim ) | 2.6 × 10⁻⁶ / céim | Délaiméadar-teocht ard |
| 14 | Timthriallta Frithsheasmhachta Teirmeacha Turraing (1650 céim ↔ RT) | Níos mó ná nó cothrom le 900 timthriallta gan crack | Tástáil Aosaithe Foirnéise Timthrialla Teirmeach |
| 15 | Saol Seirbhíse Leanúnach (Tarraingt Sileacain CZ) | 500+ baisceanna fáis criostail | Tástáil Aosaithe Oibríocht Foirnéise Iarbhír |
| 16 | Raon Teochta Oibre | 1420 – 2400 céim (Atmaisféar Argón Fholúis) | Tástáil Cobhsaíochta Ardteochta |
| 17 | Cóireáil Dromchla | Séalaithe Micropore & Cumhdach Carbóin Passivation | Próifíliméadar Garmhachta Dromchla (Ra Níos lú ná nó cothrom le 0.6μm) |
| 18 | Struchtúr ar Fáil Saincheaptha | Slat Soladach / Hollow Uisce-fuaraithe / Comhpháirteach Snáithithe Deighilte / Groove Speisialta | Líníocht Meaisínithe CNC Chustaim |
Clibeanna Te: leictreoidí graifít outgassing íseal le haghaidh fás criostail sileacain, an tSín leictreoidí graifít outgassing íseal le haghaidh fás criostail sileacain monaróirí, soláthraithe, monarcha
